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Si4410DY
2400
2000
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 10A
V DS = 24V
V DS = 15V
1600
Ciss
12
1200
800
400
Coss
Crss
8
4
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 150 ° C
10us
T J = 25 ° C
1
10
100us
1ms
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V GS = 0 V
0.9     1.0
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1          1
10
10ms
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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